073 EUV 光刻量产

EUV光刻技术量产突破
2014年，台积电通过改进EUV光刻机量产技术，在连续曝光标准下实现24小时处理600片晶圆，并逐步突破单日千片晶圆大关。通过吸滴体积减半技术，降低了吸滴管消耗和反光镜污染，减少了停机维护时间，为量产奠定基础。
EUV生态系统的开发挑战
量产阶段需构建完整的光刻技术生态系统，其中EUV专用光阻开发成为关键。日本合成橡胶（GSR）联合台积电攻克光阻难题，而EUV光照机材缺陷检测则依赖台积电与科磊公司合作改进设备，最终将光照机材缺陷从100个降至个位数。
设备迭代与市场格局
阿斯麦推出的第四代EUV光刻机NEX3400B采用硅合木多层膜反射层技术，实现13纳米波长光源和125片/小时的高精度晶圆处理效率，推动5纳米工艺商业化。其产能受限导致交货周期延长，台积电、三星和英特尔成为主要采购方，存储芯片厂商如SK海力士也通过大额订单入场。
技术路线与未来方向
2016年国际半导体技术路线图提出超越摩尔战略，强调通过异构封装技术应用、材料创新和软硬件协同提升计算密度。先进封装技术成为延续摩尔定律的核心路径，推动单位面积芯片在能效和成本上的持续优化。