064 第九章：英特尔量产 3D 晶体管

二十世纪九十年代中期，半导体行业面临晶体管尺寸缩小挑战，短沟道效应问题导致晶体管漏电问题加剧。漏电不仅增加芯片功耗，更威胁摩尔定律技术延续。2000年，胡振民团队提出三维FinFET结构解决方案，通过鱼鳍状3D晶体管设计增强电路控制能力，显著减少漏电并缩短沟道长度，为晶体管尺寸进一步缩小奠定基础。
英特尔率先突破三维FinFET结构的商业化应用，于2011年推出22纳米芯片量产技术，推出首款22纳米处理器“长春藤桥”，推动摩尔定律向更小纳米工艺演进。2012年，英特尔凭借3D晶体管技术优势，开始布局开放式晶圆代工业务，与Tablet、Eclipse等FPGA芯片需求方合作，试图复制IBM通过先进工艺抢占代工市场的策略。
然而，台积电创始人张忠谋对英特尔转型持保留态度。他指出，IDM厂产能优先模式导致英特尔难以平衡自有CPU生产与代工服务，且其客户多为高通等竞争对手，合作空间有限。FPGA芯片市场规模仅50亿美元，与手机SoC芯片相比体量较小，业界认为英特尔代工业务更多是为争夺高端芯片订单铺路，而非全面转型。