072 第十章 解决 EUV 光源难题

半导体行业为突破摩尔定律限制，将EUV光刻技术视为关键突破口。EUV光波长介于10-100纳米，需通过人工光源实现，技术难度极高。台积电自20世纪90年代起跟踪EUV技术，但因未能加入EUV LLC联盟，转而专注静默式光刻技术。2006年阿斯麦推出首台EUV实验样机，但光源功率仅为10瓦，远未达量产标准。
为分摊研发风险，阿斯麦要求英特尔、台积电、三星通过购买股权参与EUV光刻机开发。台积电投入8.4亿欧元获得5%股份，但市场对技术前景存疑，多数企业锁定期结束后抛售股票。2013年阿斯麦推出第二代EUV光刻机NEX3300B，数值孔径提升至0.33，分辨率达9纳米，但光源功率和反光镜雾化问题仍是瓶颈。
台积电联合阿斯麦成立攻关团队，通过调整激光功率、氢气流量等参数，最终在2014年实现光源功率稳定输出90瓦。这一突破为后续提升至250瓦奠定基础，标志着EUV光刻技术迈向量产阶段。严涛南博士主导的实验验证了技术可行性，而蒋尚义“投入所有资源确保成功”的策略成为台积电攻克技术难关的核心驱动力。