台积电与阿斯麦的合作与技术突破
台积电与光刻机厂商阿斯麦的合作始于静默式光刻技术的研发。尽管阿斯麦设备价格高昂且早期机型存在透光率问题,但其“不盈利不付款”的条款和高精度优势赢得了台积电的信任。林本坚提出的浸润式光刻方案得到张忠谋和蒋尚义的支持,台积电于2003年完成技术验证,阿斯麦仅用一年便推出首台静默式光刻机。
静默式技术推动芯片工艺跨越
2004年,阿斯麦静默式光刻机成熟后,台积电突破193纳米波长极限,成功量产90纳米芯片,标志芯片进入纳米时代。2006年,台积电利用该技术实现65纳米芯片量产,毛利率升至49%,并率先生产近乎零缺陷的12英寸晶圆。静默式技术使光刻精度从90纳米推进至10纳米,延续了摩尔定律的生命周期。
行业格局重塑与IDM厂转型
随着台积电等代工厂突破关键节点,IDM厂如德州仪器等放弃先进工艺制造,转向专业代工。阿斯麦凭借静默式光刻机在2007年击败尼康,占据70%市场份额,推动美韩芯片产业优势扩大。尼康技术落后被视为日本芯片业衰退的主因之一。
林本坚的贡献与技术遗产
林本坚因浸润式光刻技术晋升台积电研发副总,并获多项荣誉。其方案使阿斯麦光刻机持续改进至7纳米工艺,苹果A12和华为麒麟980均依赖该技术。直至5纳米工艺,极紫外光刻技术才接替其地位。这一合作彻底改写了全球半导体产业格局。