林本坚出生于越南,接受中英双语教育,后赴美攻读电机工程博士。其早期在IBM从事光刻技术研究,主导开发了DUV(深紫外光)技术,成为半导体光刻技术的主流方案之一。在IBM期间,他坚持光学光刻技术发展,与当时主流的X光光刻技术研发团队形成对立,提出显示光刻设想但未获支持。
1992年林本坚离开IBM创业,2000年加入台积电技术团队,负责突破光刻技术瓶颈。面对193纳米激光波长无法满足摩尔定律需求的难题,他提出浸润式光刻方案:通过在透镜与晶圆间加水层,利用光线折射率研究,将波长缩短至134纳米。这一低成本创新颠覆了尼康等厂商主张的157纳米稳健路线,但因技术风险和行业巨头的巨额前期投入,遭到普遍反对。
林本坚顶住压力,通过发表论文、全球游说推动技术验证,最终以“虽千万人,吾往矣”的决心改写光刻史。其浸润式光刻方案不仅突破技术限制,更验证了光学光刻技术发展的持续潜力,而X光光刻技术研发至今仍未实现商用。这一突破奠定了台积电在半导体产业的领先地位,并深刻影响全球光刻技术演进路径。