035 0.13 微米铜工艺改造了台积电

技术突破与行业地位
台积电通过引入193纳米光刻机技术，率先完成0.13微米铜工艺研发，成为2001年全球唯一能量产该工艺的专业晶圆代工厂。其成功验证12英寸晶圆厂可行性，奠定后续先进工艺生产基础。此技术不仅领先国际半导体技术蓝图一年，还通过授权美国国家半导体有限公司，改写专业晶圆代工厂对外技术依赖的格局。
竞争格局与市场影响
联华电子因技术落后，0.13微米工艺量产延迟，导致与超微的合作失败。同期，台积电凭借技术优势实现343亿元新台币营收，毛利率大幅提升，拉开与联华电子的差距。英伟达成为台积电关键客户，2001年贡献218亿元营收，并连续十年稳居前两大客户。
研发投入与人才战略
全球互联网泡沫破灭期间，台积电逆势增加研发投入至106亿元新台币，研发团队规模扩张超25%。通过吸纳胡振明等顶尖人才，成立首席技术官办公室，聚焦挑战摩尔定律极限，推动芯片微型化长期项目，巩固技术领先地位。
战略转型与行业标杆
0.13微米铜工艺改造后，台积电从技术跟随者跃升为行业标杆，毛利率和市场份额持续增长。其专业晶圆代工厂技术能力获国际认可，并通过主持国际半导体制造技术战略联盟会议，强化产业领导地位。联华电子则因技术滞后，逐渐丧失竞争优势，营收占比逐年下滑。