034 穿粉红色无尘衣的工程师

在半导体行业的技术竞争中，台积电通过自主研发铜导线工艺技术取得关键突破。相较于传统铝导线，铜导线工艺研发结合低介电绝缘材料，可显著降低电阻和电容延迟，提升芯片性能。1997年，IBM宣布铜互联技术优势后，要求合作方放弃自主技术研发，台积电选择拒绝IBM半导体授权，转而集结团队攻关铜工艺技术自主化。
台积电技术自主的核心在于研发团队开发的光学临近校正技术，该技术为铜导线工艺研发奠定了基础。为控制铜污染风险，团队采用严格管理流程，如粉色无尘衣标识和路线限行。同期联华电子技术引进IBM方案，两家企业以不同路径竞争晶圆代工技术领先地位。
1998年，台积电成功实现0.18微米铜工艺量产，成为首家提供高成品率铜工艺芯片的晶圆代工厂。该技术结合铝铜合金与低介电绝缘材料，显著降低耗电量，推动移动智能设备发展。台积电此后持续迭代低耗电芯片工艺，巩固其在超低耗电技术平台的行业领先地位。联华电子则迟至2000年才完成铜工艺量产，凸显自主技术研发的战略价值。